Производитель Номер продукта:
IPS09N03LA G
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPS09N03LA G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Инвентаризация:
12822937
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPS09N03LA G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
25 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1642 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
63W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3-11
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Базовый номер продукта
IPS09N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,500
Другие названия
IPS09N03LA G-DG
IPS09N03LAG
IPS09N03LAGX
SP000015131
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLHM620TRPBF
MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN
IPP60R600P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3
IRFB41N15D
MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
